1. BSO083N03MS G
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厂商型号

BSO083N03MS G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH

内部编号

173-BSO083N03MS-G

生产厂商

Infineon Technologies

Infineon Technologies

#1

数量:7500
2500+¥2.147
5000+¥1.999
12500+¥1.925
25000+¥1.851
62500+¥1.821
最小起订量:2500
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#2

数量:14997
1+¥6.502
10+¥5.626
25+¥5.034
100+¥4.442
250+¥3.85
500+¥3.257
1000+¥2.591
最小起订量:1
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSO083N03MS G产品详细规格

规格书 BSO083N03MS G datasheet 规格书
BSO083N03MS G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11A
Rds(最大)@ ID,VGS 8.3 mOhm @ 14A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 27nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2100pF @ 15V
功率 - 最大 1.56W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 PG-DSO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSO083N03MS G系列产品

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